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CSD95372BQ5MT

Name: Texas Instruments CSD95372BQ5MT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD95372BQ5MT
Price: 4.86 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD95372BQ5MT

Herst.- Nr.:

CSD95372BQ5MT

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Gate-Treiber 60A Sync Buck NexFET Smart Power Stage A A 595-CSD95372BQ5M

Datenblatt:

CSD95372BQ5MT Datenblatt

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	4.86 CHF	4.86 CHF
	3.73 CHF	37.30 CHF
	3.45 CHF	86.25 CHF
	3.14 CHF	314.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	2.98 CHF	745.00 CHF
	2.84 CHF	1 420.00 CHF
	2.76 CHF	2 760.00 CHF
	2.73 CHF	6 825.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD95372BQ5M

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

4.13 CHF

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD95372BQ5M

Beschreibung:

Gate-Treiber 60A Sync Buck Smart Power Stage A 595-CS A 595-CSD95372BQ5MT

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Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	LSON-CLIP-12
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	CSD95372BQ5M
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si
Handelsname:	NexFET
Gewicht pro Stück:	164,800 mg

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NexFET Leistungsstufen-ICs

Texas Instruments NexFET Leistungsstufen-ICs sind optimierte Treiber-ICs mit NexFET Dual-MOSFETs, die im Bauteil verwendet werden. Dadurch wird in einem typischen Hochstrom-POL-Design ein höherer Wirkungsgrad ermöglicht. Diese Bauteile mit extrem niedrigen Qg und Qgd ermöglichen gegenüber Bauteilen von Mitbewerbern eine höhere Schaltfrequenz mit bis zu doppelter Frequenz für den gleichen Leistungsverlust. Dadurch wird das Einschwingverhalten für eine geringere Anzahl erforderlicher Ausgangskondensatoren verbessert. Die Größe der Ausgangsfilter (Kondensatoren und Induktivität) verringert sich um die Hälfte. Sie sind mit einem einzigartigen Erdungspad-Leiterrahmen und einer Pinbelegung ausgestattet, die das Layout des Kunden vereinfacht und die betriebliche sowie thermische Leistung verbessert. Sie werden in einem kleineren Gehäuse als typische diskrete Lösungen angeboten, wodurch Platzeinsparungen auf dem Board ermöglicht werden.