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CSD97396Q4MT

Name: Texas Instruments CSD97396Q4MT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD97396Q4MT
Price: 2.26 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD97396Q4MT

Herst.- Nr.:

CSD97396Q4MT

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Gate-Treiber 30A Sync Buck NexFET Power Stage A 595-C A 595-CSD97396Q4M

Datenblatt:

CSD97396Q4MT Datenblatt

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	2.26 CHF	2.26 CHF
	1.70 CHF	17.00 CHF
	1.54 CHF	38.50 CHF
	1.39 CHF	139.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	1.30 CHF	325.00 CHF
	1.23 CHF	615.00 CHF
	1.15 CHF	1 150.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD97396Q4M

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

1.92 CHF

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD97396Q4M

Beschreibung:

Gate-Treiber 30A Synchronous Buck NexFET Power Stage A 595-CSD97396Q4MT

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
REACH - SVHC:
Produkt:	Driver ICs - Various
Typ:	High-Side, Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SON-9
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	30 A
Versorgungsspannung - Min.:	4.5 V
Versorgungsspannung - Max.:	5.5 V
Anstiegszeit:	60 ns
Abfallzeit:	60 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	CSD97396Q4M
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Kenndaten und Eigenschaften:	Synchronous
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	7.8 mA
Pd - Verlustleistung:	8 W
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Abschaltung:	No Shutdown
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si
Handelsname:	NexFET
Gewicht pro Stück:	57,400 mg

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 854239099
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

NexFET Leistungsstufen-ICs

Texas Instruments NexFET Leistungsstufen-ICs sind optimierte Treiber-ICs mit NexFET Dual-MOSFETs, die im Bauteil verwendet werden. Dadurch wird in einem typischen Hochstrom-POL-Design ein höherer Wirkungsgrad ermöglicht. Diese Bauteile mit extrem niedrigen Qg und Qgd ermöglichen gegenüber Bauteilen von Mitbewerbern eine höhere Schaltfrequenz mit bis zu doppelter Frequenz für den gleichen Leistungsverlust. Dadurch wird das Einschwingverhalten für eine geringere Anzahl erforderlicher Ausgangskondensatoren verbessert. Die Größe der Ausgangsfilter (Kondensatoren und Induktivität) verringert sich um die Hälfte. Sie sind mit einem einzigartigen Erdungspad-Leiterrahmen und einer Pinbelegung ausgestattet, die das Layout des Kunden vereinfacht und die betriebliche sowie thermische Leistung verbessert. Sie werden in einem kleineren Gehäuse als typische diskrete Lösungen angeboten, wodurch Platzeinsparungen auf dem Board ermöglicht werden.

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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