DRV3255EPAPRQ1

Texas Instruments
595-DRV3255EPAPRQ1
DRV3255EPAPRQ1

Herst.:

Beschreibung:
Motor / Bewegung / Zündungscontroller und Treiber Automotive integrat ed 3-phase 48-V Gat

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Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 9.08 CHF 9.08
CHF 7.11 CHF 71.10
CHF 6.62 CHF 165.50
CHF 6.08 CHF 608.00
CHF 5.81 CHF 1 452.50
CHF 5.66 CHF 2 830.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
CHF 5.53 CHF 5 530.00
5 000 Kostenvoranschlag
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Texas Instruments
Produktkategorie: Motor / Bewegung / Zündungscontroller und Treiber
RoHS:  
Fan / Motor Controllers / Drivers
3.5 A
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
HTQFP-64
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: PH
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Produkt-Typ: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
Serie: DRV3255
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Versorgungsspannung - Max.: 95 V
Versorgungsspannung - Min.: 5 V
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8542391090
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

DRV3255-Q1 Automotive-Gate-Treibereinheit (GDU)

Die Texas Instruments DRV3255-Q1 Automotive-Gate-Treibereinheit (GDU) ist ein hochintegrierter Dreiphasen-Gate-Treiber für 48-V-Automotive-Motorantriebs-Applikationen. Das Bauteil ist speziell zur Bereitstellung von Spitzen-Gate-Drive-Strömen von 3,5 A (Quelle) und 4,5 A (Senke) und einer transienten 90-V-MOSFET-Überspannungsunterstützung ausgelegt, um Hochleistungs-Motorantriebs-Applikationen zu unterstützen. Eine Bootstrap-Architektur mit hohem Wirkungsgrad reduziert Leistungsverluste und die Eigenerwärmung der Gate-Treiber. Eine Ladungspumpe ermöglicht den Gate-Treibern eine 100%ige PWM-Tastverhältnissteuerung zu unterstützen. Eine große Auswahl von Überwachungs-, Diagnose- und Schutzfunktionen im DRV3255-Q1 von Texas Instruments unterstützen ein robustes Motorantriebssystem-Design. Eine hochkonfigurierbare aktive Kurzschlussfunktion (ASC) ermöglicht die Integration ausgewählter externer MOSFETs, um schnell auf Systemfehler zu reagieren und die Notwendigkeit externer Komponenten zu eliminieren.