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DRV8705HQRHBRQ1

Name: Texas Instruments DRV8705HQRHBRQ1
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-DRV8705HQRHBRQ1
Price: 2.03 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-DRV8705HQRHBRQ1

Herst.- Nr.:

DRV8705HQRHBRQ1

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Gate-Treiber Automotive 40-V H- b ridge Smart Gate Dr

Datenblatt:

DRV8705HQRHBRQ1 Datenblatt

ECAD Model:

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CHF -.--

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 2.03	CHF 2.03
	CHF 2.02	CHF 20.20
	CHF 1.99	CHF 49.75
	CHF 1.94	CHF 194.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 1.27	CHF 3 810.00
	CHF 1.24	CHF 7 440.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Half-Bridge Drivers
Typ:	Half-Bridge
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VQFN-32
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	5 mA
Versorgungsspannung - Min.:	4.9 V
Versorgungsspannung - Max.:	37 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	DRV8705
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	850 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si

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Application Notes

PCN

Product Change Notification 2024-08-20 (PDF)

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

DRV8705-Q1 Smart-Halbbrücken-Gate-Treiber

Der H-Brücken-Smart-Gate-Treiber DRV8705-Q1 von Texas Instruments ist ein hochintegrierter H-Brücken-Gate-Treiber, der High-Side- und Low-Side-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs ansteuern kann. Das Bauteil erzeugt ordnungsgemäße Gate-Drive-Spannungen über eine integrierte Verdopplungs-Ladungspumpe für die High-Side-MOSFETs und einen Linearregler für die Low-Side-MOSFETs. Das Bauteil verwendet eine Smart-Gate-Drive-Architektur zur Reduzierung der Systemkosten und Verbesserung der Zuverlässigkeit. Der Gate-Treiber optimiert die Totzeit, um Durchzündungsbedingungen zu vermeiden. Er bietet außerdem eine Steuerung zur Verringerung elektromagnetischer Störungen (EMI) durch den einstellbaren Gate-Treiberstrom und schützt vor Drain-Source- und Gate-Short-Bedingungen mit V_DS- und V_GS-Wächtern.