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ISO5451DW

Name: Texas Instruments ISO5451DW
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-ISO5451DW
Price: 4.27 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-ISO5451DW

Herst.- Nr.:

ISO5451DW

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Galvanisch isolierte Gate-Treiber 5.7kVrms 2.5A/5A si ngle-channel isolate A 595-ISO5451DWR

Lebenszyklus:

End-of-Life-Produkt :

Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Datenblatt:

ISO5451DW Datenblatt

ECAD Model:

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Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

ISO5451DWR

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 3.51

Min:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Galvanisch isolierte Gate-Treiber
RoHS:
Serie:	ISO5451
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-16
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Pd - Verlustleistung:	700 mW
Verzögerungszeit - Max.:	110 ns
Anstiegszeit:	20 ns
Abfallzeit:	20 ns
Verpackung:	Tube
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Inverting, Non-Inverting
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Kenndaten und Eigenschaften:	DESAT Protection, Miller Clamp, Power Good, Fault Output, Reset
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	5 A
Ausgangsspannung:	15 V to 30 V
Produkt:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Produkt-Typ:	Galvanically Isolated Gate Drivers
Abschaltung:	Shutdown
Verpackung ab Werk:	40
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Versorgungsspannung - Max.:	5.5 V
Versorgungsspannung - Min.:	3 V
Technologie:	Si
Gewicht pro Stück:	666 mg

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Application Notes

PCN

SPICE Models

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 854239099
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

ISO5451 isolierter IGBT/MOSFET Gate-Treiber

Der Texas Instruments ISO5451 isolierte IGBT/MOSFET Gate-Treiber ist ein 4,25kV_RMS Gate-Treiber mit Basisisolation für IGBTs und MOSFETs mit 2,5A Quellstrom und 5A Senkstrom. Die Eingangsseite wird von einer einzelnen 3V- bis 5,5V-Stromversorgung betrieben. Auf der Ausgangsseite ist ein Stromversorgungsbereich von mindestens 15V bis maximal 30V möglich. Zwei zusätzliche CMOS-Eingänge steuern den Ausgangsstatus des Gate-Treibers. Die kurze Verzögerungszeit von 76ns gewährleistet eine genaue Steuerung des Ausgangsstatus. Eine integrierte Entsättigungsfehlererkennung erkennt eine Überlastbedingung im IGBT. Wenn die Entsättigung aktiv ist, wird ein Fehlersignal über die Isolationsbarriere gesendet, indem der FLT-Ausgang auf der Eingangsseite tief gestellt wird, um den Isolatoreingang zu blockieren. Die FLT-Ausgangsbedingung wird verriegelt und kann durch einen wenig aktiven Impuls auf dem RST-Eingang zurückgesetzt werden. Die Bereitschaft des Gate-Treibers zum Betrieb wird von zwei Unterspannungs-Sperrschaltkreisen gesteuert, die die Versorgung auf der Eingangs- und Ausgangsseite überwachen. Wenn eine der beiden Seiten ungenügend versorgt wird, wird der RDY niedrig geschaltet, da ansonsten der Ausgang hoch ist.
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