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ISO5852SMDWREP

Name: Texas Instruments ISO5852SMDWREP
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-ISO5852SMDWREP
Price: 9.46 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-ISO5852SMDWREP

Herst.- Nr.:

ISO5852SMDWREP

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Galvanisch isolierte Gate-Treiber 5.7kVrms, 2.5A/5A enhanced 1-channel isolated gate driver w/split output, active protection features 16-SOIC -55 to 125

Datenblatt:

ISO5852SMDWREP Datenblatt

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	9.46 CHF	9.46 CHF
	8.91 CHF	89.10 CHF
	8.30 CHF	207.50 CHF
	7.62 CHF	762.00 CHF
	7.30 CHF	1 825.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	7.03 CHF	14 060.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Galvanisch isolierte Gate-Treiber
RoHS:
Serie:	ISO5852S
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-16
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verzögerungszeit - Max.:	110 ns
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Land der Bestückung:	TW
Land der Verbreitung:	US
Ursprungsland:	TW
Kenndaten und Eigenschaften:	DESAT Protection, Split Output, Miller Clamp, Power Good, Fault Output, Reset, Soft Turn Off
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt:	Isolated Gate Drivers
Produkt-Typ:	Galvanically Isolated Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si
Artikel # Aliases:	V62/16623-01XE

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Texas Instruments ISO5852S IGBT-MOSFET-Gate-Treiber sind bei Mouser erhältlich und sind verstärkt isolierte 5,7kV_RMS-Gate-Treiber für IGBTs und MOSFETs mit 2,5A Quellstrom und 5A Senkstrom. Die Eingangsseite wird von einer einzelnen 2,25V- bis 5,5V-Stromversorgung betrieben. Auf der Ausgangsseite ist ein Stromversorgungsbereich von mindestens 15V bis maximal 30V möglich. Zwei zusätzliche CMOS-Eingänge steuern den Ausgangsstatus des Gate-Treibers. Die kurze Verzögerungszeit von 76ns gewährleistet eine genaue Steuerung des Ausgangsstatus. Zu den typischen Anwendungen gehören isolierte IGBT- und MOSFET-Antriebe in industriellen Motorsteuerungsantrieben und Energieversorgungen, Solar-Wechselrichter, HEV- und EV-Leistungsmodule und Induktionserwärmung.
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