LMG1210RVRR

Texas Instruments
595-LMG1210RVRR
LMG1210RVRR

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber 1.5-A 3-A 200-V ha l f bridge gate drive A 595-LMG1210RVRT

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Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 3.30 CHF 3.30
CHF 2.50 CHF 25.00
CHF 2.29 CHF 57.25
CHF 2.07 CHF 207.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 2.07 CHF 6 210.00
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Verpackung:
Reel, Cut Tape, MouseReel
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Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Texas Instruments
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
MOSFET Gate Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
WQFN-19
2 Driver
2 Output
3 A
4.75 V
18 V
500 ps
500 ps
- 40 C
+ 125 C
LMG1210
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Land der Bestückung: TH
Land der Verbreitung: US
Ursprungsland: TH
Logiktyp: TTL
Maximale Abschaltverzögerungszeit: 18 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit: 18 ns
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Sperrzeit - Max.: 18 ns
Betriebsversorgungsstrom: 380 uA
Ausgangsspannung: 5 V
Produkt-Typ: Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.: 20 ns
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 400 mOhms
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: GaN
Handelsname: GaN
Gewicht pro Stück: 26.800 mg
Produkte gefunden:
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

LMG1210 200-V-Halbbrücken-MOSFET- und GaN-FET-Treiber

Texas Instruments LMG1210 200-V-Halbbrücken-MOSFET- und Gallium-Nitrid-Feldeffekttransistor-Treiber (GaN-FET) sind für Applikationen mit extrem hoher Frequenz und hohem Wirkungsgrad ausgelegt. Das Bauteil eignet sich für Applikationen, die über eine einstellbare Totzeit-Fähigkeit, eine sehr kleine Laufzeitverzögerung und eine High-Side-Low-Side-Anpassung von 3,4 ns zur Optimierung des Systemwirkungsgrads verfügen. Die LMG1210 MOSFET- und GaN-FET-Treiber bieten einen internen LDO, der unabhängig von der Versorgungsspannung eine Gate-Drive-Spannung von 5 V gewährleistet.