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LMG3411R070RWHR

Name: Texas Instruments LMG3411R070RWHR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG3411R070RWHR
Price: 6.28 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-LMG3411R070RWHR

Herst.- Nr.:

LMG3411R070RWHR

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Gate-Treiber 600-V 70-m? GaN with integrated driver a A 595-LMG3411R070RWHT

Datenblatt:

LMG3411R070RWHR Datenblatt

ECAD Model:

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Herst. Teilenr.:

LMG3411R070RWHT

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

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Preis:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

LMG3411R070RWHT

Beschreibung:

Gate-Treiber 600-V 70-m? GaN with integrated driver a A 595-LMG3411R070RWHR

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Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	MOSFET Gate Drivers
Typ:	High-Side, Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	QFN-32
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Versorgungsspannung - Min.:	9.5 V
Versorgungsspannung - Max.:	18 V
Anstiegszeit:	15 ns
Abfallzeit:	4.2 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	LMG3411R070
Verpackung:	Reel
Marke:	Texas Instruments
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	Not Available
Maximale Abschaltverzögerungszeit:	10 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit:	12 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	43 mA
Ausgangsspannung:	5 V
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	36 ns
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	70 mOhms
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si
Handelsname:	GaN

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Application Notes

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USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

LMG3410R070 600V-70mΩ-GaN-Leistungsstufen

Die LMG3410R070 600V-70mΩ-GaN-Leistungsstufe von Texas Instruments mit integriertem Treiber und Schutzfunktionen bietet Vorteile gegenüber Silizium-MOSFETs. Diese umfassen eine extrem niedrige Ein- und Ausgangskapazität. Funktionen umfassen einen Sperrverzögerung von Null, die Schaltverluste bis zu 80 % senken kann und ein niedriges Schalterknoten-Überschwingen zur Reduzierung von EMI.