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UCC23313BDWYR

Name: Texas Instruments UCC23313BDWYR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-UCC23313BDWYR
Price: 0.63 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-UCC23313BDWYR

Herst.- Nr.:

UCC23313BDWYR

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Optisch isolierte Gate-Treiber 3.75kVrms 4A/5A sin gle-channel opto-com A 595-UCC23313BDWY

Datenblatt:

UCC23313BDWYR Datenblatt

ECAD Model:

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CHF -.--

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 850)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.632	CHF 0.63
	CHF 0.45	CHF 4.50
	CHF 0.405	CHF 10.13
	CHF 0.356	CHF 35.60
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 850)
	CHF 0.356	CHF 302.60

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Optisch isolierte Gate-Treiber
RoHS:
Serie:	UCC23313
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-6
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verzögerungszeit - Max.:	105 ns
Anstiegszeit:	28 ns
Abfallzeit:	25 ns
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Land der Bestückung:	MY
Land der Verbreitung:	US
Ursprungsland:	MY
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	5 A
Produkt:	Isolated Gate Drivers
Produkt-Typ:	Optically Isolated Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	850
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Versorgungsspannung - Max.:	30 V
Versorgungsspannung - Min.:	15 V
Technologie:	Si
Typ:	High-Side, Low-Side

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Datenblatt

UCC23313BDWYR Datenblatt

PCN

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CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

UCC23313 Isolierte Gate-Treiber

Texas Instruments UCC23313 Isolierte Gate-Treiber sind für IGBTs, MOSFETs und SiC-MOSFETs mit einem Spitzen-Qellenstrom von 4,5 A und einem Spitzen-Senkenstrom von 5,3 A sowie einer Basisisolationsrate von 3,75 kVrms ausgelegt. Der UCC23313 verfügt über einen hohen Versorgungsspannungsbereich von 33 V und ermöglicht den Einsatz von bipolaren Versorgungen für eine wirksame Ansteuerung von IGBTs und SiC-Leistungs-FETs. Der UCC23313 kann sowohl Low-Side- als auch High-Side-Leistungs-FETs ansteuern.