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UCC27210DDA

Name: Texas Instruments UCC27210DDA
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-UCC27210DDA
Price: 4.28 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-UCC27210DDA

Herst.- Nr.:

UCC27210DDA

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Gate-Treiber 4A Peak Hi Freq High /Low-Side Driver A A 595-UCC27210DDAR

Datenblatt:

UCC27210DDA Datenblatt

ECAD Model:

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	CHF 2.74	CHF 68.50
	CHF 2.40	CHF 180.00
	CHF 2.15	CHF 645.00
	CHF 1.97	CHF 1 034.25
	CHF 1.71	CHF 1 795.50
	CHF 1.67	CHF 5 010.00
	CHF 1.66	CHF 9 960.00

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

UCC27210DDAR

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 2.34

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

UCC27210DDAR

Beschreibung:

Gate-Treiber 4A Peak Hi Freq High /Low-Side Driver A A 595-UCC27210DDA

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	MOSFET Gate Drivers
Typ:	High-Side, Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SO-PowerPad-8
Anzahl der Treiber:	2 Driver
Anzahl der Ausgänge:	2 Output
Ausgangsstrom:	4 A
Versorgungsspannung - Min.:	8 V
Versorgungsspannung - Max.:	17 V
Anstiegszeit:	7.2 ns
Abfallzeit:	5.5 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 140 C
Serie:	UCC27210
Verpackung:	Tube
Marke:	Texas Instruments
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	75
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si
Gewicht pro Stück:	70.600 mg

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CAHTS:: 8542390000
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MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

UCC2721x High Frequency Drivers

Texas Instruments UCC2721x High-Frequency High-Side and Low-Side Drivers are based on the popular UCC27200 and UCC27201 MOSFET drivers but offer several significant performance improvements. Peak output pull-up and pull-down current has been increased to 4A source and 4A sink, and pull-up and pull-down resistance have been reduced to 0.9Ω. These performance enhancements allow for driving large power MOSFETs with minimized switching losses during the transition through the MOSFET's Miller Plateau.