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SSM6K781G,LF

Name: Toshiba SSM6K781G,LF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM6K781GLF
Price: 0.61 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-SSM6K781GLF

Herst.- Nr.:

SSM6K781G,LF

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs WCSP6C S-MOS TRSTR Pd=0mW F=1MHz

Datenblatt:

SSM6K781G,LF Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.616	CHF 0.62
	CHF 0.383	CHF 3.83
	CHF 0.247	CHF 24.70
	CHF 0.188	CHF 94.00
	CHF 0.17	CHF 170.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.138	CHF 414.00
	CHF 0.129	CHF 774.00
	CHF 0.128	CHF 1 152.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	WCSP6C-6
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	12 V
Id - Drain-Gleichstrom:	7 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	14.4 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	400 mV
Qg - Gate-Ladung:	5.4 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.6 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	U-MOSVII-H
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	SSM6K
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	1.400 mg

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Datenblatt

SSM6K781G,LF Datenblatt (PDF)

Application Notes

Surface Mount Small Signal MOSFET Precautions For Use

Models

PCN

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

U-MOSVII-H MOSFETs

Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are logic-level gate drive and low-voltage gate drive devices offered in both single-channel and dual-channel variants. These devices have a drain-source voltage range of 12V to 60V and a continuous drain current range from 0.15m to 9.0A. Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are offered in a wide range of compact, surface-mounted package types, making them ideal for high-density applications.