SI3473DDV-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SI3473DDV-T1-GE3
SI3473DDV-T1-GE3

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs -12V Vds 8V Vgs TSOP-6

ECAD Model:
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CHF 0.327 CHF 3.27
CHF 0.228 CHF 22.80
CHF 0.173 CHF 86.50
CHF 0.155 CHF 155.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
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CHF 0.119 CHF 714.00
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Vishay
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TSOP-6
P-Channel
1 Channel
12 V
8 A
38.8 mOhms
- 8 V, 8 V
1 V
38 nC
- 55 C
+ 150 C
3.6 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Vishay / Siliconix
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Abfallzeit: 35 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 30 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 28 ns
Serie: Si3473DDV
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit: 50 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 22 ns
Gewicht pro Stück: 20 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99

TrenchFET®-MOSFETs

Vishay/Siliconix TrenchFET®-MOSFETs sind mit der p- und n-Kanal-Siliziumtechnologie ausgestattet, wodurch diese Bauteile die besten Einschaltwiderstands-Spezifikationen der Branche, wie beispielsweise 1,9 mΩ im PowerPAK® SO-8-Gehäuse, bieten. Diese MOSFETs verfügen über einen Einschaltwiderstand, der nur halb so hoch ist wie der Einschaltwiderstand der nächstbesten Bauteile auf dem Markt. Die n-Kanal-MOSFETs bieten einen Drain-Source-Durchschlagspannungsbereich von 40 V bis 250 V, eine Verlustleistung von 375 W und eine ThunderFET-Leistung (je nach Modell). Die p-Kanal-MOSFETs verfügen über bis zu 2 Kanäle, eine SMD- und Durchsteckmontage und einen Drain-Source-Durchschlagspannungsbereich von 12 V bis 200 V.

Industrie-Leistungslösung

Vishay bietet eines der branchenweit größten Portfolios an Halbleiter- und passiven Bauelementen für Industrie-Stromversorgungsapplikationen. Das Produktportfolio von Vishay für Industrie-Stromversorgungen umfasst Leistungs-MOSFETs, Leistungs-ICs, Gleichrichter, Dioden, Kondensatoren, Widerstände und Induktivitäten.