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SIHA11N80E-GE3

Name: Vishay SIHA11N80E-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIHA11N80E-GE3
Price: 3.65 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIHA11N80E-GE3

Herst.- Nr.:

SIHA11N80E-GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Datenblatt:

ECAD Model:

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Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	800 V
Id - Drain-Gleichstrom:	12 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	380 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	88 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	34 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	18 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	4.5 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	15 ns
Serie:	SIHA E
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	55 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	18 ns
Gewicht pro Stück:	2 g