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SIR5802DP-T1-RE3

Name: Vishay SIR5802DP-T1-RE3
Brand: Vishay
SKU: 78-SIR5802DP-T1-RE3
Price: 2.28 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIR5802DP-T1-RE3

Herst.- Nr.:

SIR5802DP-T1-RE3

Herst.:

Vishay

Datenblatt:

ECAD Model:

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Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SO-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	137.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	28 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Handelsname:	PowerPAK
Marke:	Vishay
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	12 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	49 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	11 ns
Serie:	SIR
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	25 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	21 ns