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CAB530M12BM3

Name: Wolfspeed CAB530M12BM3
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-CAB530M12BM3
Price: 569.29 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

941-CAB530M12BM3

Herst.- Nr.:

CAB530M12BM3

Herst.:

Wolfspeed

Beschreibung:

Diskrete Halbleitermodule SiC, Module, 530A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial

Datenblatt:

CAB530M12BM3 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	Wolfspeed
Produktkategorie:	Diskrete Halbleitermodule
RoHS:	N
Produkt:	SiC Modules
Typ:	Half Bridge
Technologie:	SiC
Vr - Sperrspannung:	1.2 kV
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 4 V, + 15 V
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	Module
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Marke:	Wolfspeed
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Id - Drain-Gleichstrom:	530 A
Produkt-Typ:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.67 mOhms
Verpackung ab Werk:	1
Unterkategorie:	Discrete Semiconductor Modules
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.6 V

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PCN

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CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
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JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

62-mm-Siliziumkarbid-Halbbrückenmodule

Wolfspeed 62-mm-Siliziumkarbid(SiC)-Halbbrückenmodule von 1.200 V und 1.700 V kombinieren die Systemvorteile von SiC mit einem robusten Layout mit niedriger Induktivität. Die Halbbrückenmodule verfügen über einen erhöhten Systemwirkungsgrad aufgrund der geringen Schalt- und Leitungsverluste von SiC. Diese Leistungsmodule enthalten ein internes Layout mit niedriger Induktivität, das eine maximale Spannungsnutzung mit minimalem Überschwingen und Schwingen ermöglicht. Die Halbbrücken-Module wählen aus Aluminiumnitrid-Keramik für einen reduzierten thermischen Widerstand mit robuster CTE-Anpassung oder Siliziumnitrid-Keramik für einen dauerhaften maximalen Sperrschichttemperaturbetrieb.