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XP60SL115DR

Name: YAGEO XP60SL115DR
Brand: YAGEO XSemi
SKU: 603-XP60SL115DR
Price: 3.62 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

603-XP60SL115DR

Herst.- Nr.:

XP60SL115DR

Herst.:

YAGEO XSemi

Beschreibung:

MOSFETs N-CH 600V 28A TO-262

Datenblatt:

XP60SL115DR Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	YAGEO
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-262-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	28 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	115 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Qg - Gate-Ladung:	91 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	YAGEO XSemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Abfallzeit:	31 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	21 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	34 ns
Serie:	XP
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	89 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	22 ns

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Datenblatt

XP60SL115DR Datenblatt (PDF)

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Gruppen-Leistungsumwandlungskomponenten

Die YAGEO Group (YAGEO, Pulse, KEMET) entwickelt Technologien für passive Bauelemente, die in Leistungsumwandlungssystemen entscheidend sind, einschließlich Sicherheits-, Snubber- und DC-Link-Kondensatoren, Strommess- und Leistungswiderstände sowie magnetische Bauelemente, wie z. B. Transformatoren, Gleichtaktdrosseln und Induktivitäten. Da jedes elektronische Gerät Energie benötigt, verwenden die meisten dieser Produkte eine Form der Leistungsumwandlung oder Stromversorgung, um die erforderliche Energie bereitzustellen.

Leistungs-MOSFETs

YAGEO XSemi Leistungs-MOSFETs nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken für niedrigen Einschaltwiderstand, Wirkungsgrad und Kosteneffizienz. Die Leistungs-MOSFETs von YAGEO XSemi sind in verschiedenen Gehäusen erhältlich, um den Anforderungen der jeweiligen Applikation gerecht zu werden. Die für das Bauteil verfügbaren Gehäuse kommen häufig für kommerzielle und industrielle Applikationen zum Einsatz.