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FCPF190N60E

Name: onsemi FCPF190N60E
Brand: onsemi
SKU: 512-FCPF190N60E
Price: 4.79 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

512-FCPF190N60E

Herst.- Nr.:

FCPF190N60E

Herst.:

onsemi

Datenblatt:

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	20.6 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	190 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	82 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	39 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	SuperFET II
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	40 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	20 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	38 ns
Serie:	FCPF190N60E
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	212 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	56 ns
Gewicht pro Stück:	2 g