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FCPF220N80

Name: onsemi FCPF220N80
Brand: onsemi
SKU: 512-FCPF220N80
Price: 6.56 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

512-FCPF220N80

Herst.- Nr.:

FCPF220N80

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET

Datenblatt:

FCPF220N80 Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	800 V
Id - Drain-Gleichstrom:	23 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	220 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	78 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	40 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	SuperFET II
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	2.6 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	19 ns
Serie:	FCPF220N80
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	75 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	27 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

FCPF220N80 Datenblatt

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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Die FairchildSuperFET®-Leistungs-MOSFETs gehören zu einer neuen Generation proprietärer Hochspannungs-MOSFET-Familien, die einen fortschrittlichen Ladeausgleichsmechanismus für einen herausragenden niedrigen On-Widerstand und eine Gate-Ladung mit geringer Leistung nutzen. Diese fortschrittliche Technik wurde speziell zur Minimierung von Leitungsverlusten ausgerichtet, bietet ein überlegenes Schaltverhalten und widersteht extremen dv/dt-Raten und Avalanche-Energien. Diese SuperFET®-MOSFETs sind für eine Vielzahl von AC-DC-Leistungsumwandlungen im Schaltmodusbetrieb für System-Miniaturisierung und höheren Wirkungsgrad geeignet.
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