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FDMC86261P

Name: onsemi FDMC86261P
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMC86261P
Price: 2.29 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

512-FDMC86261P

Herst.- Nr.:

FDMC86261P

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs -150 P-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET

Datenblatt:

FDMC86261P Datenblatt

ECAD Model:

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Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
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	CHF 1.47	CHF 14.70
	CHF 0.999	CHF 99.90
	CHF 0.826	CHF 413.00
	CHF 0.772	CHF 772.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.746	CHF 2 238.00
	CHF 0.722	CHF 4 332.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	Power-33-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	2.7 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	269 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	24 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	40 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PowerTrench
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TH
Abfallzeit:	20 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	10 ns
Serie:	FDMC86261P
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	33 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	20 ns
Gewicht pro Stück:	165.330 mg

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Datenblatt

FDMC86261P Datenblatt

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

n-Kanal-PowerTrench®-MOSFETs

Die n-Kanal-PowerTrench®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor werden unter Verwendung von Fairchild Semiconductors fortschrittlichem PowerTrench®-Prozess produziert, der maßgeschneidert wurde, um den Durchlasswiderstand zu minimieren und dennoch die erstklassige Schaltleistung aufrecht zu erhalten. Die n-Kanal-PowerTrench®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor sind in einer Auswahl von Drain-Source-Spannungs-Spezifikationen zwischen 30V und 250V verfügbar.

Der FDD10N20LZ und der FDD7N25LZ sind Leistungsfeldeffekt-Transistoren vom n-Kanal-Anreicherungstyp, die unter Verwendung von Fairchilds geschützter Planar-Streifen-DMOS-Technologie produziert werden. Diese fortschrittliche Technologie wurde maßgeschneidert, um den Durchlasswiderstand zu minimieren und eine erstklassige Schaltleistung sowie eine hohe Widerstandsfähigkeit gegen Stromstöße im Avalanche- und Kommutierungsmodus zu bieten. Diese Geräte eignen sich sehr gut für hocheffiziente Schaltnetzteile und aktive Leistungsfaktorkorrektur.

Der FDMC6296 ist ein einzelner n-Kanal-MOSFET in einem thermisch effizienten MicroFET-Gehäuse, das speziell entworfen wurde, um gut in Point-of-Load-Wandlern zu arbeiten. Dieser Baustein liefert ein optimiertes Gleichgewicht zwischen R_DS(on) und der Gate-Ladung und kann so effektiv als „Hochseiten“-Steuerschalter oder „Niedrig-Seiten“-Synchron-Gleichrichter verwendet werden.
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Fairchild Mittelspannungs-p-Kanal-MOSFETs

Fairchild Mittelspannungs-p-Kanal-MOSFETs sind 100V und 150V p-Kanal-MOSFETs, die branchenweit unübertroffene R_DS-ON- und Q_g-Werte bieten. Jedes dieser Bauteile wird mit Hilfe von Fairchilds moderner PowerTrench®-Technologie hergestellt. Dieser High-Density-Prozess ist speziell dafür zugeschnitten, den Durchlasswiderstand zu minimieren und für eine überlegene Schaltleistung optimiert. Typische Anwendungen sind High-Side-Schaltung bei Motorantrieben und Beleuchtung, Active Clamp in DC-DC und Lastschalter.
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