FSB50250AT

onsemi
512-FSB50250AT
FSB50250AT

Herst.:

Beschreibung:
Intelligente Leistungsmodule – IPMs Smart Power Module

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onsemi
Produktkategorie: Intelligente Leistungsmodule – IPMs
REACH - SVHC:
Marke: onsemi
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.: 500 V
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Maximale Betriebstemperatur: + 150 C
Minimale Betriebstemperatur: - 40 C
Montageart: Through Hole
Verpackung/Gehäuse: SPM-23 ED
Verpackung: Tube
Pd - Verlustleistung: 13.4 W
Produkt-Typ: Intelligent Power Modules - IPMs
Serie: SPM 5
Verpackung ab Werk: 15
Unterkategorie: Discrete and Power Modules
Technologie: Si
Typ: 3-Phase
Gewicht pro Stück: 6 g
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8542319000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

ON Semiconductor Motion SPM®-Module

Die Motion SPM®-Module von ON Semiconductor integrieren Antriebs- und Schutzschaltkreise in einem Gehäuse. Motion SPM-Module vereinfachen und beschleunigen Designs, gleichzeitig optimieren sie den Wirkungsgrad. Sie werden auch als Intelligente Leistungsmodule (IPM) bezeichnet.
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Intelligente Leistungsmodule (IPMs)

Die intelligenten Leistungsmodule (IPMs) von onsemi sind hochintegrierte Halbleiter-Leistungsschalter, die eine Gate-Drive-Schaltung basierend auf IGBTs oder MOSFETs in einem einzigen Modul integrieren. Die IPMs bieten auch Schutz für Stromsysteme vor Problemen wie Kurzschlüssen, Unterspannung und extremen Temperaturen. IPMs mit 600-V-IGBTs werden in Verbraucher- und Industrieapplikationen für den Antrieb von Lüftern, Pumpen und Kompressoren verwendet. IPMs mit 40-V- und 80-V-MOSFETs werden zunehmend in Fahrzeuganwendungen zum Antrieb von elektrischen Lüftern und Pumpen eingesetzt. 

FSB50xxx Advanced Motion SPM®-Module der 5-Serie

Die Module der Fairchild FSB50xxx Advanced Motion SPM® Serie 5 bieten eine hochleistungsfähige Inverter-Endstufe für AC-Induktionsmotoren, BLDC-Motoren und PMSM-Motoren, die alle Leistungsmerkmale enthält. Diese Module integrieren optimierte Gate-Treiber der integrierten MOSFETs (FRFET® oder SuperFET®-Technik) zur Reduzierung von EMI und Verlusten und stellt gleichzeitig mehrere On-Modul-Schutzfunktionen einschließlich Abschaltung bei Unterspannung und Wärmeüberwachung bereit. Die eingebaute Hochgeschwindigkeits-HVIC benötigt nur eine einzige Spannungsversorgung und wandelt die eingehenden Logikebenen-Gate-Eingänge in die Hochspannungs-, Hochstromantriebssignale um, die für den entsprechenden Antrieb der internen MOSFETs des Moduls notwendig sind. Separate Open-Source-MOSFET-Anschlüsse sind für jede Phase verfügbar, um die größte Vielfalt von Steuerungsalgorithmen zu unterstützen.
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