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NCV57091CDWR2G

Name: onsemi NCV57091CDWR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV57091CDWR2G
Price: 2.69 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NCV57091CDWR2G

Herst.- Nr.:

NCV57091CDWR2G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Gate-Treiber ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE

Datenblatt:

NCV57091CDWR2G Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-8
Serie:	NCD57090
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs

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Datenblatt

NCV57091CDWR2G Datenblatt

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

NCx57091 IGBT-/MOSFET-Gate-Treiber

onsemi NCx57091 IGBT-/MOSFET-Gate-Treiber sind Hochstrom-Einkanal-Treiber mit einer internen galvanischen Trennung von 5 kV_RMS. Diese Treiber akzeptieren komplementäre Eingänge und bieten Optionen, wie z. B. eine aktive Miller-Klemme, eine negative Stromversorgung und separate High-/Low-Treiberausgänge für ein praktisches Systemdesign. Die IGBT-/MOSFET-Gate-Treiber eignen sich für eine große Auswahl von Eingangsvorspannungen und Signalpegeln von 3,3 V bis 20 V und sind in einem schmalen SOIC-8-Gehäuse verfügbar. Zu den typischen Applikationen gehören Motorsteuerung, Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), Fahrzeuganwendungen, Industrie-Netzteile und Solarwechselrichter.

Kopplung von Gate-Treibern mit EliteSiC-MOSFETs

Energieinfrastrukturapplikationen wie das Laden von Elektrofahrzeugen, Energiespeicherung, unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme (USV) und Solarenergie treiben die Systemleistung auf Hunderte von Kilowatt und sogar Megawatt. Diese Hochleistungsapplikationen verwenden ein Halbbrücken-, Vollbrücken- und Dreiphasen-Topologie-Tastverhältnis mit bis zu sechs Schaltern für Wechselrichter und BLDC. Je nach Leistungspegel und Schaltgeschwindigkeiten suchen Systemdesigner verschiedene Schalttechnologien, einschließlich Silizium, IGBTs und SIC, um die Applikationsanforderungen am besten zu erfüllen.