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NSVT1601CLTWG

Name: onsemi NSVT1601CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NSVT1601CLTWG
Price: 0.9 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NSVT1601CLTWG

Herst.- Nr.:

NSVT1601CLTWG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT -160V -1.5A PNP LOW SATURATION BJT

Datenblatt:

NSVT1601CLTWG Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	LFPAK-8
Transistorpolung:	PNP
Konfiguration:	Single
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	2.5 A
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	160 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	180 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	6 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	120 mV
Pd - Verlustleistung:	2.2 W
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	87 MHz
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	NST1601CL
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Kollektorgleichstrom:	1.5 A
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	JP
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	140
DC Stromverstärkung hFE max.:	280
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

NSVT1601CLTWG Datenblatt

Material Composition Disclosure

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NST160xCL 160 V 1,5 A NPN-Bipolartransistoren

Die 160 V 1,5 A NPN-Bipolartransistoren NST160xCL von onsemi sind Sperrschicht-Bipolartransistoren und zeichnen sich durch Hochstrom, niedrige Sättigungsspannung und hohe Schaltgeschwindigkeit aus. Die Bauteile sind in einem 3,3 mm x 3,3 mm kleinen LFPAK8-Gehäuse mit flachem Profil untergebracht und haben eine niedrige Sättigungsspannung zwischen Kollektor und Emitter. Der NST160xCL von onsemi ist für Fahrzeuganwendungen geeignet und nach AEC-Q101 qualifiziert und PPAP-fähig.