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NTH4L014N120M3P

Name: onsemi NTH4L014N120M3P
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L014N120M3P
Price: 22.42 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTH4L014N120M3P

Herst.- Nr.:

NTH4L014N120M3P

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 14MOHM 1200V

Datenblatt:

NTH4L014N120M3P Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	127 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	20 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.63 V
Qg - Gate-Ladung:	329 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	686 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	EliteSiC
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	KR
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	13 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	29 S
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	40 ns
Serie:	NTH4L014N120M3P
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	68 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	26 ns

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Datenblatt

NTH4L014N120M3P Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

M3P EliteSiC-MOSFETs

onsemi M3P EliteSiC-MOSFETs sind eine Lösung für Hochspannungsapplikationen mit einer maximalen Nennspannung von 1.200 V. Die M3P MOSFETs von onsemi sind in D2PAK7-, TO-247-3LD- und TO-247-4LD-Gehäusen verfügbar. Die MOSFETs bieten Vielseitigkeit für verschiedene Design-Anforderungen. Mit einer maximalen Gate-Source-Spannung von +22 V/-10 V verfügen die EliteSiC-MOSFETs über verbesserte parasitäre Kapazitäten, einschließlich Koss, Ciss und Crss.

Lösungen zur Energiespeicherung

onsemi Energiespeichersysteme (ESS) speichern Strom aus verschiedenen Energiequellen wie Kohle, Kernkraft, Wind und Sonne in verschiedenen Formen, darunter Batterien (elektrochemisch), Druckluft (mechanisch) und Salzschmelze (thermisch). Diese Lösung konzentriert sich auf Batterie-Energiespeichersysteme, die an Solar-Wechselrichtersysteme angeschlossen sind.

NTH4L014N120M3P Siliziumkarbid(SiC)-MOSFET

Der Siliziumcarbid(SiC)-MOSFET NTH4L014N120M3P von onsemi ist für Schnellschalt-Applikationen optimiert. Die MOSFET von onsemi verfügt über eine Planar-Technologie, die zuverlässig mit negativen Gate-Spannungsantrieben arbeitet und Spikes auf dem Gate ausschaltet. Diese Produktfamilie bietet eine optimale Leistung bei Betrieb mit einem Gate-Drive von 18 V, funktioniert aber auch gut mit einem 15-V-Gate-Drive.