NTH4L160N120SC1

onsemi
863-NTH4L160N120SC1
NTH4L160N120SC1

Herst.:

Beschreibung:
SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART

Datenblatt:
ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: SiC-MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
17.3 A
224 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
34 nC
- 55 C
+ 175 C
111 W
Enhancement
EliteSiC
Marke: onsemi
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Abfallzeit: 7 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 3.2 S
Verpackung: Tube
Produkt-Typ: SiC MOSFETS
Anstiegszeit: 10 ns
Serie: NTH4L160N120SC1
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Transistors
Technologie: SiC
Regelabschaltverzögerungszeit: 14 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 11 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

PCN

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

M1-EliteSiC-MOSFETs

onsemi M1-EliteSiC-MOSFETs verfügen über Nennspannungen von 1.200 V und 1.700 V. Die M1-MOSFETs von onsemi sind zur Erfüllung der Anforderungen von Hochleistungsapplikationen ausgelegt, die Zuverlässigkeit und Wirkungsgrad erfordern. Die M1-EliteSiC-MOSFETs sind in verschiedenen Gehäuseoptionen verfügbar, einschließlich D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD und Bare-Chip.

Kopplung von Gate-Treibern mit EliteSiC-MOSFETs

Energieinfrastrukturapplikationen wie das Laden von Elektrofahrzeugen, Energiespeicherung, unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme (USV) und Solarenergie treiben die Systemleistung auf Hunderte von Kilowatt und sogar Megawatt. Diese Hochleistungsapplikationen verwenden ein Halbbrücken-, Vollbrücken- und Dreiphasen-Topologie-Tastverhältnis mit bis zu sechs Schaltern für Wechselrichter und BLDC. Je nach Leistungspegel und Schaltgeschwindigkeiten suchen Systemdesigner verschiedene Schalttechnologien, einschließlich Silizium, IGBTs und SIC, um die Applikationsanforderungen am besten zu erfüllen.

1.200-V-EliteSiC-(Siliziumkarbid)-MOSFETs

Die 1200-V-EliteSiC-(Siliziumkarbid)-MOSFETs von onsemi   verfügen über eine völlig neue Technologie und bieten im Vergleich zu Silizium eine hervorragende Schaltleistung und hohe Zuverlässigkeit. Diese MOSFETs bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand, der eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung gewährleistet. Die 1200-V-EliteSiC-MOSFETs bieten Systemvorteile und umfassen einen hohen Wirkungsgrad, eine schnelle Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI und eine reduzierte Systemgröße. Diese MOSFETs verfügen über eine Sperrspannung, eine Hochgeschwindigkeits-Schaltung und eine niedrige Kapazität und werden in einem Temperaturbereich von -55°C bis 175°C betrieben. Die 1200-V-SiC-MOSFETs sind für Fahrzeuganwendungen AEC-Q101-qualifiziert und RoHs-konform. Diese MOSFETs eignen sich für verstärkende Wechselrichter, Ladestationen, DC/DC-Wechselrichter, DC/DC-Wandler, On-Board-Ladegeräte (OBC), Motorsteuerung, industrielle und Server-Netzteile.

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