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NTMFS3D2N10MDT1G

Name: onsemi NTMFS3D2N10MDT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS3D2N10MDT1G
Price: 3.81 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTMFS3D2N10MDT1G

Herst.- Nr.:

NTMFS3D2N10MDT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET HE SO8FL

Datenblatt:

NTMFS3D2N10MDT1G Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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	CHF 2.48	CHF 24.80
	CHF 1.94	CHF 194.00
	CHF 1.63	CHF 815.00
	CHF 1.51	CHF 1 510.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	CHF 1.41	CHF 2 115.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	142 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	48 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	155 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PowerTrench
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Land der Bestückung:	MY
Land der Verbreitung:	KR
Ursprungsland:	MY
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	NTMFS3D2N10MD
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

NTMFS3D2N10MDT1G Datenblatt

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PowerTrench Technologie

Die onsemi PowerTrench Technologie stellt die Weiterentwicklung der PowerTrench Technologie dar, insbesondere von T6 bis T10, was einen Durchbruch in der Leistungselektronikbedeutet. Die von onsemi entwickelten PowerTrench MOSFETs bieten verbesserte Wirkungsgrade und Leistungen in verschiedenen Applikationen. Der Wechsel von T6/T8 zu T10 verbessert den On-Widerstand und die Schaltleistung auf signifikante Weise, was für energieeffiziente Designs entscheidend ist.

NTMFS3D2N10MD N-Kanal MOSFET

Der onsemi NTMFS3D2N10MD n-Kanal-MOSFET wird mit einem fortschrittlichen PowerTrench^® -Verfahren hergestellt, das die abgeschirmte Gate-Technologie umfasst. Dieser Prozess wurde für den Einschaltwiderstand R_DS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten optimiert und bietet trotzdem eine überragende Schaltleistung. Der NTMFS3D2N10MD MOSFET verfügt über einen niedrigen Q_G und eine niedrige Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten, einen niedrigen Q_RR, eine Soft-Recovery-Bodydiode und einen niedrigen Q_OSS zur Verbesserung des Wirkungsgrads bei geringer Last. Zu den typischen Applikationen gehören Primärschalter in isolierten DC/DC-Wandlern, AC/DC-Adapter, Synchrongleichrichtung in DC/DC und AC/DC, BLDC-Motoren, Lastschalter und Solarwechselrichter.