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NTMFS4C55NT1G

Name: onsemi NTMFS4C55NT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS4C55NT1G
Price: 0.86 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTMFS4C55NT1G

Herst.- Nr.:

NTMFS4C55NT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs NFET SO8FL 30V 78A 3.4MOH

Datenblatt:

NTMFS4C55NT1G Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.867	CHF 0.87
	CHF 0.619	CHF 6.19
	CHF 0.385	CHF 38.50
	CHF 0.266	CHF 133.00
	CHF 0.223	CHF 223.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	CHF 0.20	CHF 300.00
	CHF 0.171	CHF 513.00
	CHF 0.159	CHF 1 431.00
	CHF 0.143	CHF 3 432.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SO-8FL
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	21.7 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.7 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.2 V
Qg - Gate-Ladung:	14 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	33 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Abfallzeit:	7 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	68 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	32 ns
Serie:	NTMFS4C55N
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	21 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11 ns
Gewicht pro Stück:	540 mg

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Datenblatt

NTMFS4C55NT1G Datenblatt

PCN

RoHS Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs

onsemi Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs sind MOSFETs mit 30 V, 40 V und 60 V, die mit einem fortschrittlichen Power-Trench-Verfahren hergestellt werden, das die abgeschirmte Gate-Technologie enthält. Dieses Verfahren wurde für die Reduzierung des Einschaltwiderstands optimiert und bietet mit einer erstklassigen Soft-Bodydiode trotzdem eine überragende Schaltleistung.