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NVBLS0D5N04CTXG

Name: onsemi NVBLS0D5N04CTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBLS0D5N04CTXG
Price: 7.81 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVBLS0D5N04CTXG

Herst.- Nr.:

NVBLS0D5N04CTXG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 0.5 MOHMS MAX

Datenblatt:

NVBLS0D5N04CTXG Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 7.81	CHF 7.81
	CHF 5.41	CHF 54.10
	CHF 4.40	CHF 440.00
	CHF 4.39	CHF 2 195.00
	CHF 4.37	CHF 4 370.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	CHF 3.74	CHF 7 480.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-LL8-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	300 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	570 uOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	185 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	198.4 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Land der Bestückung:	PH
Land der Verbreitung:	JP
Ursprungsland:	PH
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	NVBLS0D5N04C
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

NVBLS0D5N04CTXG Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Automotive-Leistungs-MOSFETs

Die Automotive-Leistungs-MOSFETs von onsemi verfügen über einen niedrigen R_DS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten und eine/n niedrige/n Q_g/Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten. Diese MOSFETs senken Schaltverluste/elektromagnetische Störungen (EMI). Diese Automotive-Leistungs-MOSFETs werden in einem TO-Leadless-Gehäuse (TOLL) für effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung geliefert. Diese MOSFETs sind für Fahrzeuganwendungen AEC-Q101-qualifiziert und PAAP-fähig. Diese Bauteile eignen sich für Elektrowerkzeuge, batteriebetriebene Staubsauger, unbemannte Luftfahrzeuge (UAV)/Drohnen, Materialtransport, Batteriemanagementsystem (BMS)/Speicher und Heimautomatisierung.