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NVH660S75L4SPFC

Name: onsemi NVH660S75L4SPFC
Brand: onsemi
SKU: 863-NVH660S75L4SPFC
Price: 514.16 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVH660S75L4SPFC

Herst.- Nr.:

NVH660S75L4SPFC

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

IGBT-Module AUTOMOTIVE 750V 660A SSDC POWER MODULE FLAT BASE PLATE

Datenblatt:

NVH660S75L4SPFC Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	IGBT-Module
RoHS:
Produkt:	Power Modules
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	750 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.21 V
Kriechstrom Gate-Emitter:	300 nA
Pd - Verlustleistung:	733 W
Verpackung/Gehäuse:	SSDC-33
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tray
Marke:	onsemi
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	US
Ursprungsland:	CN
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	20 V
Montageart:	Through Hole
Produkt-Typ:	IGBT Modules
Serie:	NVH660S75L4SPFC
Verpackung ab Werk:	4
Unterkategorie:	IGBTs
Technologie:	Si

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Datenblatt

NVH660S75L4SPFC Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVH660S75L4SPFx 6-Pack-IGBT-Module

onsemi NVH660S75L4SPFx 6-Pack-IGBT-Module sind Leistungsmodule der VE-Trac™ -Direct-Produktfamilie von hochintegrierten Leistungsmodulen mit Industriestandard-Footprints. Diese IGBT-Module integrieren sechs schmale Field-Stop-4(FS4)-Mesa-IGBTs von 750 V in einer 6-Pack-Konfiguration. Die NVH660S75L4SPFx Module verfügen über eine extrem niedrige Streuinduktivität, einen Dauerbetrieb von 175°C, schnelle Freilaufdioden-Chip-Technologien und ein isoliertes 4,2-kV-DBC-Substrat. Die NVH660S75L4SPFx IGBT-Module sind RoHs-konform und erfüllen die Brennbarkeitsklasse UL 94 V-0. Diese IGBT-Module eignen sich für Traktionswechselrichter von Hybrid- und Elektrofahrzeugen sowie Hochleistungswandler.