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UG4SC075011K4S

Name: onsemi UG4SC075011K4S
Brand: onsemi
SKU: 772-UG4SC075011K4S
Price: 22.42 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

772-UG4SC075011K4S

Herst.- Nr.:

UG4SC075011K4S

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

JFETs 750V/11MOCOMBO-FETG4TO

Datenblatt:

UG4SC075011K4S Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	JFETs
RoHS:
Technologie:	SiC
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Konfiguration:	Single
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	750 V
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung:	- 30 V to 30 V
Drain-Source-Strom bei Vgs=0:	3.5 uA
Id - Drain-Gleichstrom:	104 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	10 mOhms
Pd - Verlustleistung:	357 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	UG4S
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Produkt-Typ:	JFETs
Verpackung ab Werk:	600
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

UG4SC075011K4S Datenblatt

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Combo-FETs

Die onsemi Combo-FETs sind revolutionäre Bauteile, die einen SiC-JFET von onsemi mit niedrigem R_DS(on) und einen Si-MOSFET in einem einzigen, kompakten Gehäuse kombinieren. Diese Combo-FETs sind ausdrücklich für Niederfrequenz-Schutzapplikationen, wie z. B. Solid-State-Leistungsschalter, Batterietrennschalter und Überspannungsschutz ausgelegt und ermöglichen Benutzern den Zugriff auf das JFET-Gate zur Optimierung des Designs. Die Integration des Si-MOSFETs in diese Combo-FETs von onsemi gewährleistet eine normalerweise ausgeschaltete Lösung, die eine Größenreduzierung von über 25 % im Vergleich zu diskreten Implementierungen ermöglicht.

UG4SC Kombi-FETs von 750 V, 8,4 mΩ

onsemi UG4SC Combo-FETs von 750 V, 8,4 mΩ kombinieren einen 750-V-SiC-JFET und einen Si-MOSFET mit niedriger Spannung in einem einzelnen TO-247-4L-Gehäuse. Dieses Design ermöglicht einen normalerweise ausgeschalteten Schalter und profitiert vom extrem niedrigen On-Widerstand [R_DS(on)] und der Robustheit eines normalerweise auf SiC-JFETs und der Robustheit eines normalerweise auf SiC-JFETs. Die UG4SC Combo-FET-Baureihe von onsemi eignet sich hervorragend für die Hochenergie-Schaltung im Schaltungsschutz. Für die Schaltmodus-Leistungsumwandlung bieten die Bauteile einen separaten Gate-Zugang zum JFET und MOSFET, wodurch die Drehzahlregelung verbessert und die Parallelschaltung mehrerer Bauteile vereinfacht wird.