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UJ4SC075018B7S

Name: onsemi UJ4SC075018B7S
Brand: onsemi
SKU: 431-UJ4SC075018B7S
Price: 17.22 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

431-UJ4SC075018B7S

Herst.- Nr.:

UJ4SC075018B7S

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC-MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO263

Datenblatt:

UJ4SC075018B7S Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	750 V
Id - Drain-Gleichstrom:	72 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	18 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	6 V
Qg - Gate-Ladung:	37.8 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	259 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	SiC FET
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	17.6 ns
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	23 ns
Serie:	UJ4SC
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	136 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	13 ns

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PCN

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

UJ4C/SC SiC-FETs von 750 V im D2PAK-7L-Gehäuse

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High-Performance SiC FETs

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Qorvo UJ4C/SC 750V-SiC-FETs der 4. Generation

Die UJ4C/SC 750 V SiC-FETs der 4. Gen. von Qorvo sind eine Hochleistungs-Baureihe, die branchenweit beste Leistungskennzahlen liefert, die Leitungsverluste senken und die Effizienz bei höherer Geschwindigkeit erhöhen, während sie gleichzeitig die Gesamtkosteneffektivität verbessern. Die Gen 4-Baureihe ist in 5,4 mΩ bis 60 mΩ Optionen erhältlich und basiert auf einer einzigartigen Kaskaden-Konfiguration, bei der ein Hochleistungs-SiC-JFET mit einem Kaskaden-optimierten Si-MOSFET kombiniert ist, um ein Standard-Gate-Drive-SiC-Bauteil zu bilden. Die Standard-Gate-Drive-Eigenschaften der UJ4C/SC 750 V FETs ermöglichen einen „Drop-in-Ersatz“ -Funktionsumfang. Entwickler können die Systemleistung erheblich verbessern, ohne die Gate-Drive-Spannung zu ändern, indem bestehende Si-IGBTs, Si FETs, SiC-FETs oder Si-Super-Junction-Bauteile durch die UJ4C/SC FETs von Qorvo ersetzt werden.