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FDBL9406-F085T6

Name: onsemi FDBL9406-F085T6
Brand: onsemi
SKU: 863-FDBL9406-F085T6
Price: 2.52 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-FDBL9406-F085T6

Herst.- Nr.:

FDBL9406-F085T6

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 1.2 MOHMS MAX

Datenblatt:

FDBL9406-F085T6 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Cut-Tape

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 2.52	CHF 2.52
	CHF 1.60	CHF 160.00
	CHF 1.51	CHF 755.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	CHF 0.875	CHF 1 750.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-LL8-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	240 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.21 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 16 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	75 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	136.4 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	JP
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	FDBL9406-F085T6
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

FDBL9406-F085T6 Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs

Die n-Einzelkanal-Leistungs-MOSFETs von onsemi sind MOSFETs mit kleinem Footprint und kompaktem Design mit niedrigem R_DS(on) und geringer Kapazität. Der niedrige R_DS(on)-Wert sorgt für eine Reduzierung der Leitungsverluste und die geringe Kapazität reduziert die Treiberverluste. Diese n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs sind bleifrei und RoHS-konform und verfügen über einen Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C.