FFSP15120A

onsemi
512-FFSP15120A
FFSP15120A

Herst.:

Beschreibung:
SiC Schottky Dioden 1200V SiC SBD 15A

Datenblatt:
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onsemi
Produktkategorie: SiC Schottky Dioden
RoHS:  
Through Hole
TO-220-2
Single
15 A
1.2 kV
1.45 V
115 A
200 uA
- 55 C
+ 175 C
FFSP15120A
Tube
Marke: onsemi
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: KR
Pd - Verlustleistung: 300 W
Produkt-Typ: SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk: 50
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
Handelsname: EliteSiC
Vr - Sperrspannung: 1.2 kV
Gewicht pro Stück: 2.160 g
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99

FFSP SiC-Schottky-Dioden

onsemi FFSP SiC-Schottky-Dioden (Siliziumkarbid) nutzen die Vorteile von Siliziumkarbid-Bauteilen gegenüber Nur-Silizium-(Si)-Bauteilen in vollem Umfang und bieten eine erheblich höhere Überstromfestigkeit, einen geringeren Rest-Sperrstrom und keinen Sperrverzögerungsstrom. Diese SiC-Schottky-Dioden verfügen außerdem über temperaturunabhängige Schalteigenschaften und eine hervorragende thermische Leistungsfähigkeit. Dies führt zu einem verbesserten System-Wirkungsgrad, schnellerer Betriebsfrequenz, erhöhter Leistungsdichte, reduzierter EMI, kleinerer Systemgröße und niedrigeren Kosten.

Siliziumkarbid-Schottky-Dioden

onsemi Siliziumkarbid-Schottky-Dioden (SiC) bringen eine hervorragende Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit zu Silizium-basierten Bauteilen. SiC-Schottky-Dioden verfügen über keinen Sperrverzögerungsstrom, eine temperaturunabhängige Schaltung und eine hervorragende thermische Leistung. Zu den Systemvorteilen zählen ein hoher Wirkungsgrad, eine schnelle Betriebsfrequenz, eine hohe Leistungsdichte, geringe EMI und eine reduzierte Systemgröße und niedrigere Kosten. onsemi bietet Bauteile in 650 V und 1.200 V mit zahlreichen Strom- und Gehäuseoptionen, die sich bestens für Leistungssystemdesigns der nächsten Generation eignen.

D1 EliteSiC-Dioden

Die   D1 EliteSiC-Dioden von onsemi sind eine leistungsstarke und vielseitige Lösung, die für moderne Leistungselektronik-Applikationen ausgelegt ist. Der onsemi   D1 verfügt über Spannungswerte von 650 V, 1200 V und 1700 V. Diese Dioden bieten die Flexibilität, um verschiedene Design-Anforderungen zu erfüllen. Mit verschiedenen Gehäusen, beispielsweise D2PAK2, D2PAK3, TO-220-2, TO-247-2 und TO-247-3, bieten die D1 EliteSiC-Dioden dem Designer Optionen zur Optimierung der Boardfläche und der thermischen Leistung.

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