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FGD5T120SH

Name: onsemi FGD5T120SH
Brand: onsemi
SKU: 512-FGD5T120SH
Price: 1.93 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

512-FGD5T120SH

Herst.- Nr.:

FGD5T120SH

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

IGBTs 1200V 5A Field Stop Trench IGBT

Datenblatt:

FGD5T120SH Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1.93 CHF	1.93 CHF
	1.24 CHF	12.40 CHF
	0.851 CHF	85.10 CHF
	0.675 CHF	337.50 CHF
	0.651 CHF	651.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0.625 CHF	1 562.50 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Montageart:	SMD/SMT
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	2.9 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 25 V, 25 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	10 A
Pd - Verlustleistung:	69 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	FGD5T120SH
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Kollektorgleichstrom Ic max.:	10 A
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Kriechstrom Gate-Emitter:	400 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	260,370 mg

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Datenblatt

FGD5T120SH Datenblatt (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Field Stop IGBTs

onsemi Field Stop (FS) IGBTs offer optimum performance with low conduction and switching losses. These IGBTs feature high current handling capability, positive temperature coefficient, tight parameter distribution, and a wide safe operating area. The FS IGBTs come with increased breakdown voltage that improves reliability where negative ambient temperatures are present. As the temperature decreases the IGBT and FRD blocking voltage also decreases that makes the devices particularly beneficial for PV solar inverters used in colder climates. onsemi IGBTs provide fast and soft recovery that reduces power dissipation and achieves low turn-on and turn-off losses.

1200V Field Stop Trench IGBTs

onsemi 1200V Field Stop Trench IGBTs feature minimized conduction losses by having a VCE(SAT) of 1.8V, lower than previous fast switching NPT IGBTs. The 1200V field stop trench IGBTs target hard switching industrial applications such as solar inverters, uninterruptible power supplies (UPS), and welders. The 1200V field stop trench IGBT series operates at high switching frequencies, and is 100% tested for clamped inductive switching at current levels of four times the rated current to guarantee a larger safe operating area. onsemi 1200V Field Stop Trench IGBTs are available in TO-247-3, TO-247-4, and DPAK-3 packages, and are offered in 15A, 25A, and 40A ratings.