FM28V100-TGTR

Infineon Technologies
877-FM28V100-TGTR
FM28V100-TGTR

Herst.:

Beschreibung:
F-RAM 1M (128Kx8) 2.2-3.6V F-RAM

Datenblatt:
ECAD Model:
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CHF -.--
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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ †
CHF 22.74 CHF 22.74
CHF 21.04 CHF 210.40
CHF 18.78 CHF 469.50
CHF 18.33 CHF 916.50
CHF 17.87 CHF 1 787.00
CHF 17.28 CHF 4 320.00
CHF 16.52 CHF 8 260.00
CHF 14.63 CHF 14 630.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
CHF 13.58 CHF 20 370.00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:
FM28V100-TG
Verpackung:
Tray
Verfügbarkeit:
Auf Lager
Preis:
CHF 20.55
Min:
1

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Infineon
Produktkategorie: F-RAM
RoHS:  
1 Mbit
Parallel
128 k x 8
TSOP-32
60 ns
2 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
FM28V100-TG
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Infineon Technologies
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: TW
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Montageart: SMD/SMT
Betriebsversorgungsspannung: 3.3 V
Produkt-Typ: FRAM
Verpackung ab Werk: 1500
Unterkategorie: Memory & Data Storage
Produkte gefunden:
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

CNHTS:
8542329090
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
JPHTS:
8542320905
KRHTS:
8542321040
TARIC:
8542329000
MXHTS:
8471600499
ECCN:
EAR99

V-Family Low-Power F-RAM

Infineon Technologies V-Family low-power F-RAM devices feature high-performance nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. Infineon serial F-RAM performs write operations at bus speed, incurs no write delays, and is ideal for nonvolatile memory applications requiring frequent or rapid writes or low power operation. The V-Family parallel F-RAM provides data retention for over 10 years while eliminating the reliability concerns, functional disadvantages, and system design complexities of battery-backed SRAM.

Parallel F-RAM Non-Volatile Memory

Infineon Technologies Parallel F-RAM Non-Volatile Memory operates similarly to other RAM devices and can be used as a drop-in replacement for a standard SRAM in a system. These F-RAMs read and write similar to a standard SRAM. A ferroelectric random access memory or F-RAM is non-volatile, which means that data is retained after power is removed. It provides data retention for over 151 years while eliminating the reliability concerns, functional disadvantages, and system design complexities of battery-backed SRAM (BBSRAM). Fast write timing and high write endurance make the F-RAM superior to other types of memory. These features make these devices ideal for non-volatile memory applications requiring frequent or rapid writes.

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