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GCMX020A120B2H1P

Name: SemiQ GCMX020A120B2H1P
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX020A120B2H1P
Price: 66.84 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

148-GCMX020A120B2H1P

Herst.- Nr.:

GCMX020A120B2H1P

Herst.:

SemiQ

Beschreibung:

MOSFET-Module SiC 1200V 20mohm MOSFET Full-Bridge Module

Datenblatt:

GCMX020A120B2H1P Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	66.84 CHF	66.84 CHF
	53.66 CHF	536.60 CHF
	51.30 CHF	5 130.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 40)
	53.66 CHF	2 146.40 CHF
2 500	Kostenvoranschlag

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	SemiQ
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	SiC
Montageart:	Screw Mount
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	102 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	18 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.8 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	333 W
Serie:	GCMX
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	SemiQ
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	16 ns
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	6 ns
Verpackung ab Werk:	40
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Typ:	Full Bridge
Regelabschaltverzögerungszeit:	44 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	23 ns

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Datenblatt

GCMX020A120B2H1P Datenblatt (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GCMX 1.200 V SiC-MOSFET-Vollbrückenmodule

SemiQ GCMX 1.200-V-SiC-MOSFET-Vollbrückenmodule bieten geringe Schaltverluste, einen niedrigen thermischen Sperrschicht-zu-Gehäuse-Widerstand und eine sehr robuste und einfache Montage. Diese Module montieren den Kühlkörper direkt (isoliertes Gehäuse) und enthalten eine Kelvin-Referenz für einen stabilen Betrieb. Alle Teile wurden strengen Tests unterzogen, um Spannungen über 1.350 V zu widerstehen. Das charakteristische Merkmal dieser Module ist die robuste 1.200-V-Drain-Source-Spannung. Die GCMX Vollbrückenmodule werden bei einer Sperrschichttemperatur von 175°C betrieben und sind RoHS-konform. Zu den typischen Applikationen gehören Photovoltaik-Wechselrichter, Akkuladegeräte, Energiespeichersysteme und Hochspannungs-DC/DC-Wandler.