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HP8KF7HTB1

Name: ROHM Semiconductor HP8KF7HTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-HP8KF7HTB1
Price: 3.06 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-HP8KF7HTB1

Herst.- Nr.:

HP8KF7HTB1

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs HSOP8 150V DUAL 18.5A

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

HP8KF7HTB1 Datenblatt

ECAD Model:

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	CHF 2.01	CHF 20.10
	CHF 1.41	CHF 141.00
	CHF 1.24	CHF 620.00
	CHF 1.19	CHF 1 190.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 1.17	CHF 2 925.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	HSOP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	18.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	62 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	24 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	20 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	26 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	19 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	7.1 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	11 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	40 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	19 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Kleinsignal- Zweikanal -MOSFETs

ROHM Semiconductor Klein-Signal-Zweikanal MOSFETs zeichnen sich durch geringen Einschaltwiderstand und schnelles Schalten aus. Diese MOSFETs sind RoHs-konform und verfügen über eine bleifreie Beschichtung. Die Zweikanal-MOSFETs arbeiten in einem Temperaturbereich von -55°°C bis 150 °°C. Diese MOSFETs werden in Motorantrieben und Applikationen verwendet.