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IAUCN08S7N045TATMA1

Name: Infineon IAUCN08S7N045TATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IAUCN08S7N045TAT
Price: 2.37 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IAUCN08S7N045TAT

Herst.- Nr.:

IAUCN08S7N045TATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs 80 V, N-Ch, 4.54 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7

Lebenszyklus:

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Datenblatt:

IAUCN08S7N045TATMA1 Datenblatt (PDF)

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	1.54 CHF	15.40 CHF
	1.06 CHF	106.00 CHF
	0.859 CHF	429.50 CHF
	0.791 CHF	791.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	0.739 CHF	1 478.00 CHF
	0.716 CHF	2 864.00 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PG-LHDSO-10-1
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	103 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.54 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.2 V
Qg - Gate-Ladung:	27 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	98 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	OptiMOS
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	AT
Abfallzeit:	9 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	9 ns
Serie:	OptiMOS 7
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	12 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	7 ns
Artikel # Aliases:	IAUCN08S7N045T SP005911511

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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