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IKW25N120T2

Name: Infineon IKW25N120T2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW25N120T2
Price: 4.9 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IKW25N120T2

Herst.- Nr.:

IKW25N120T2

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 25A

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

IKW25N120T2 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.7 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	50 A
Pd - Verlustleistung:	349 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	Trenchstop IGBT4
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	DE
Ursprungsland:	DE
Kriechstrom Gate-Emitter:	200 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	240
Unterkategorie:	IGBTs
Handelsname:	TRENCHSTOP
Artikel # Aliases:	IKW25N12T2XK SP000244960 IKW25N120T2FKSA1
Gewicht pro Stück:	38 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

International Rectifier 1200V Gen8 IGBTs

International Rectifier 1200V Gen8 IGBTs bieten die neueste Generation der Gate-Field-Stop-Technologie von IR, die in industriefähigen TO-247-Standardgehäusen angeboten werden, um die beste Leistung für Industrie- und Energiesparanwendungen ihrer Klasse zu bieten. Die Gen8-Technologie bietet weichere Abschalt-Eigenschaften, die für Motorantriebs-Anwendungen ideal sind, minimieren dv/dt, um EMI und Überspannung zu reduzieren, und gleichzeitig Zuverlässigkeit und Robustheit zu erhöhen. Diese Gen8-IGBTs bieten einen Stromwert von 8A bis zu 60A mit typ. VCE(ON) von 1,7V und eine Kurzschlussfestigkeit von 10µs, was die Verlustleistung reduziert und zu einer erhöhten Leistungsdichte und Robustheit führt. Durch die Verwendung der Dünnwafer-Technologie liefern die 1200V Gen8-IGBTs eine erhöhte thermische Beständigkeit und eine maximale Sperrschichttemperatur von bis zu 175°C.
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