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IMBG65R163M1HXTMA1

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IMBG65R163M1HXTM

Herst.- Nr.:

IMBG65R163M1HXTMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

IMBG65R163M1HXTMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Versandmeldung:

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	17 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	217 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 5 V, + 23 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5.7 V
Qg - Gate-Ladung:	27 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	85 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	CoolSiC
Marke:	Infineon Technologies
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	AT
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt:	MOSFETs
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Serie:	CoolSiC 650V
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Artikel # Aliases:	IMBG65R163M1H SP005539187

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Datenblatt

IMBG65R163M1HXTMA1 Datenblatt (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ MOSFETs 650 V

Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFETs 650 V kombinieren die physikalische Stärke von Siliciumcarbid mit Funktionen, die die Leistung, Zuverlässigkeit und Benutzerfreundlichkeit des Bauelements verbessern. Mit seinem hochmodernen Trench-Halbleiterverfahren liefert der CoolSiC™ MOSFET die niedrigsten Verluste in der Applikation und die höchste Zuverlässigkeit im Betrieb. CoolSiC eignet sich hervorragend für den Einsatz in Applikationen mit hohen Temperaturen und rauen Umgebungen.

650 V CoolSiC™-M1-Trench-Leistungs-MOSFETs

Die 650 V CoolSiC ™ -M1-Trench-Leistungs-MOSFETs von Infineon Technologies kombinieren die starken physikalischen Eigenschaften von Siliziumcarbid mit einzigartigen Funktionen, welche die Leistung, Robustheit und Benutzerfreundlichkeit des Bauelements erhöhen. Die CoolSiC-M1-MOSFETs basieren auf einem hochmodernen Trench-Halbleiterverfahren, das für die niedrigsten Applikationsverluste und die höchste Zuverlässigkeit im Betrieb optimiert ist. Diese Bauteile eignen sich für hohe Temperaturen und raue Betriebsabläufe und ermöglichen eine vereinfachte und kostengünstige Bereitstellung des höchsten Systemwirkungsgrads.