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IMYH200R012M1HXKSA1

Name: Infineon IMYH200R012M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMYH200R012M1HXK
Price: 53.35 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IMYH200R012M1HXK

Herst.- Nr.:

IMYH200R012M1HXKSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

SiC-MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package

Datenblatt:

IMYH200R012M1HXKSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	123 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	16.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	246 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	552 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	CoolSIC
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	MY
Land der Verbreitung:	AT
Ursprungsland:	AT
Abfallzeit:	24 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	30 S
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	13 ns
Verpackung ab Werk:	240
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	50 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	16 ns
Artikel # Aliases:	IMYH200R012M1H SP005427368

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Datenblatt

IMYH200R012M1HXKSA1 Datenblatt (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

2000 V CoolSiC™-MOSFETs

Infineon Technologies 2000 V CoolSiC ™ MOSFETs sind Trench-MOSFETs in einem TO-247PLUS-4-HCC-Gehäuse. Diese MOSFETs sind für eine erhöhte Leistungsdichte ausgelegt, ohne die Zuverlässigkeit des Systems zu beeinträchtigen, selbst unter anspruchsvollen Hochspannungs- und Schaltfrequenzbedingungen. Die geringen Leistungsverluste der CoolSiC ™ -Technologie bieten eine erhöhte Zuverlässigkeit mit der .XT-Verbindungstechnologie und ermöglichen höchste Wirkungsgrade in verschiedenen Applikationen. Die 2000 V MOSFETs verfügen über eine Gate-Schwellenspannung von 4,5 V und bieten sehr niedrige Schaltverluste. Zu den typischen Applikationen gehören Energiespeichersysteme, EV-Laden, string-Wechselrichter und Solarenergie-Optimierer.