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IPB339N20NM6ATMA1

Name: Infineon IPB339N20NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPB339N20NM6ATMA
Price: 3.32 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IPB339N20NM6ATMA

Herst.- Nr.:

IPB339N20NM6ATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs IFX FET >150 - 400V

Datenblatt:

IPB339N20NM6ATMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	3.32 CHF	3.32 CHF
	2.18 CHF	21.80 CHF
	1.54 CHF	154.00 CHF
	1.38 CHF	690.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	1.30 CHF	1 300.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-263-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	200 V
Id - Drain-Gleichstrom:	39 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	33.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	15.9 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	125 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	MY
Land der Verbreitung:	AT
Ursprungsland:	AT
Abfallzeit:	8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	7.3 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	14 ns
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	15 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9 ns
Artikel # Aliases:	IPB339N20NM6 SP005562858

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Datenblatt

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 6 200 V Leistungs-MOSFETs

Die OptiMOS™ 6 200 V Leistungs-MOSFETs von Infineon Technologies sind n-Kanal-Normalpegel-MOSFETs, die in den Gehäusen PG-TO263-3 PG-TO220-3 und PG-HDSOP-16 erhältlich sind. Diese MOSFETs verfügen über ein ausgezeichnetes Gate-Ladung x R_DS(on) -Produkt (FOM), eine sehr niedrige Sperrverzögerungsladung (Q_rr) und einen niedrigen On‑Widerstand R_DS(on). Die OptiMOS™ 6 200 V MOSFETs arbeiten bei einer Temperatur von 175 °C. Diese MOSFETs sind halogenfrei gemäß IEC61249-2‑21 und haben eine Feuchteempfindlichkeit (MSL 1) klassifiziert gemäß J‑STD-020 Standard. Die OptiMOS™ 6 200 V MOSFETs sind ideal fürerneuerbare Energien, Motorsteuerung, Audioverstärker und Industrieapplikationen.

OptiMOS™ 6 Leistungs-MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ Leistungs-MOSFETs bieten die modernste Innovation der nächsten Generation und eine erstklassige Performance. Die OptiMOS 6 Produktfamilie nutzt die Dünnwafer-Technologie, die wesentliche Leistungsvorteile ermöglicht. Verglichen mit alternativen Produkten liefern die OptiMOS 6 Leistungs-MOSFETs einen um 30 % reduzierten R_DS(ON) und sind für die Synchrongleichrichtung optimiert.