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IPD95R450PFD7ATMA1

Name: Infineon IPD95R450PFD7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD95R450PFD7ATM
Price: 2.23 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IPD95R450PFD7ATM

Herst.- Nr.:

IPD95R450PFD7ATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs LOW POWER_NEW

Datenblatt:

IPD95R450PFD7ATMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	1.45 CHF	14.50 CHF
	0.999 CHF	99.90 CHF
	0.819 CHF	409.50 CHF
	0.768 CHF	768.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0.758 CHF	1 895.00 CHF

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	950 V
Id - Drain-Gleichstrom:	13.3 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	450 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	43 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	104 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	DE
Abfallzeit:	4.7 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	8.7 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	45 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9 ns
Artikel # Aliases:	IPD95R450PFD7 SP005547015

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Datenblatt

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolMOS™ PFD7 950-V-SJ-MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ PFD7 950-V-SJ-MOSFETs bieten Superjunction-Technologien (SJ). Die SJ-Technologie eignet sich durch die Integration einer erstklassigen Leistungsfähigkeit mit modernster Benutzerfreundlichkeit hervorragend für Beleuchtungs- und Industrie-SNT-Applikationen. Die PFDJ bietet eine integrierte ultraschnelle Body-Diode, die den Einsatz in Resonanztopologien mit der geringsten Sperrverzögerungsladung (Qrr) ermöglicht.