KTDM4G3C818BGCEAT

Name: SMART KTDM4G3C818BGCEAT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-M4G3C818BGCEAT
Price: 9.47 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

473-M4G3C818BGCEAT

Herst.- Nr.:

KTDM4G3C818BGCEAT

Herst.:

SMARTsemi

Beschreibung:

DRAM DRAM DDR3(L) 4GB 512MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA Commercial

Datenblatt:

KTDM4G3C818BGCEAT Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu SMARTsemi KTDM4G3C818BGCEAT

Auf Lager: 210

Lagerbestand:: 210 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.

Bestellmengen größer als 210 können einer Mindestbestellmenge unterliegen.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 9.47	CHF 9.47
	CHF 8.80	CHF 88.00
	CHF 8.53	CHF 213.25
	CHF 8.33	CHF 416.50
	CHF 8.12	CHF 812.00
	CHF 7.86	CHF 1 650.60
	CHF 7.66	CHF 3 217.20
	CHF 7.46	CHF 7 833.00
2 520	Kostenvoranschlag

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	SMART
Produktkategorie:	DRAM
RoHS:
Typ:	SDRAM - DDR3L
Speichergröße:	4 Gbit
Datenbus-Weite:	8 bit
Maximale Taktfrequenz:	933 MHz
Verpackung/Gehäuse:	FBGA-78
Organisation:	512 M x 8
Versorgungsspannung - Min.:	1.283 V
Versorgungsspannung - Max.:	1.575 V
Minimale Betriebstemperatur:	0 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Serie:	KTDM
Verpackung:	Tray
Marke:	SMARTsemi
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Produkt-Typ:	DRAM
Verpackung ab Werk:	210
Unterkategorie:	Memory & Data Storage

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

KTDM4G3C818BGCEAT Datenblatt (PDF)

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

DDR3 Memory ICs

SMARTsemi DDR3 Memory ICs feature a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The ICs achieve high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1866Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3(L) DRAM key features, and all control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks.