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MMBT5551W-AU_R1_007A1

Name: Panjit MMBT5551W-AU_R1_007A1
Brand: Panjit
SKU: 241-MMBT5551WAUR17A1
Price: 0.17 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

241-MMBT5551WAUR17A1

Herst.- Nr.:

MMBT5551W-AU_R1_007A1

Herst.:

Panjit

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR,AEC-Q101 qualified

Datenblatt:

MMBT5551W-AU_R1_007A1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Erw. Preis:

-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0.171 CHF	0.17 CHF
	0.102 CHF	1.02 CHF
	0.063 CHF	6.30 CHF
	0.046 CHF	23.00 CHF
	0.041 CHF	41.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.033 CHF	99.00 CHF
	0.029 CHF	174.00 CHF
	0.024 CHF	216.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Panjit
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-323-3
Transistorpolung:	NPN
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	160 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	180 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	6 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	200 mV
Pd - Verlustleistung:	200 mW
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	300 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Panjit
Kollektorgleichstrom:	600 mA
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	80 V at 10 mA, 5 V
DC Stromverstärkung hFE max.:	250 V at 10 mA, 5 V
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	5 mg

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Datenblatt

MMBT5551W-AU_R1_007A1 Datenblatt (PDF)

USHTS:: 8541210075
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors

PANJIT MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors offer a collector-emitter voltage (V_CE) of 160V and a collector current (I_C) rating of 600mA. The PANJIT MMBT5551W is suitable for a wide range of electronic applications. This transistor is environmentally friendly, lead-free, and complies with EU RoHS 2.0 regulations. Additionally, it features a green molding compound that meets the IEC 61249 standard.