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MUN5213DW1T1G

Name: onsemi MUN5213DW1T1G
Brand: onsemi
SKU: 863-MUN5213DW1T1G
Price: 0.19 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-MUN5213DW1T1G

Herst.- Nr.:

MUN5213DW1T1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Digitaltransistoren SS BR XSTR NPN 50V

Datenblatt:

MUN5213DW1T1G Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0.194 CHF	0.19 CHF
	0.12 CHF	1.20 CHF
	0.075 CHF	7.50 CHF
	0.055 CHF	27.50 CHF
	0.049 CHF	49.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.04 CHF	120.00 CHF
	0.036 CHF	216.00 CHF
	0.03 CHF	270.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

MUN5213DW1T3G

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

0.19 CHF

Min:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Digitaltransistoren
RoHS:
Konfiguration:	Dual
Transistorpolung:	NPN
Regeleingangswiderstand:	47 kOhms
Regelwiderstandsverhältnis:	1
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-363(PB-Free)-6
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	80
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	50 V
Kollektorgleichstrom:	100 mA
Spitzen-Kollektorgleichstrom (DC):	100 mA
Pd - Verlustleistung:	256 mW
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	MUN5213DW1
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Produkt-Typ:	Digital Transistors
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	28 mg

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Datenblatt

MUN5213DW1T1G Datenblatt

PCN

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Bipolare Dual-NPN-Digitaltransistoren

Onsemi bipolare Dual-NPN-Digitaltransistoren sind als Ersatz für ein einzelnes Bauteil und das zusätzliche externe Widerstands-Vorspannungsnetzwerk ausgelegt. Der Vorspannungswiderstandstransistor (BRT) enthält einen einzelnen Transistor mit einem monolithischen Vorspannungsnetzwerk, das aus zwei Widerständen besteht (ein Basisserienwiderstand und ein Basis-Emitter-Widerstand). Durch die Integration dieser einzelnen Bauelemente in einem einzigen Bauteil vereinfacht der BRT auf diesen bipolaren NPN-Digitaltransistoren von onsemi das Schaltungsdesign und eliminiert diese. Ein BRT reduziert auch die Systemkosten und den Board-Platz.