Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

NTMFS4D5N08XT1G

Name: onsemi NTMFS4D5N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS4D5N08XT1G
Price: 0.76 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTMFS4D5N08XT1G

Herst.- Nr.:

NTMFS4D5N08XT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

NTMFS4D5N08XT1G Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi NTMFS4D5N08XT1G

Verfügbarkeit

Lagerbestand:: 0

Sie können dieses Produkt immer noch nachbestellen.

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 23 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Lange Lieferzeit für dieses Produkt.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 0.761	CHF 0.76
	CHF 0.493	CHF 4.93
	CHF 0.405	CHF 40.50
	CHF 0.388	CHF 194.00
	CHF 0.367	CHF 367.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	CHF 0.362	CHF 543.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-5
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	94 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.6 V
Qg - Gate-Ladung:	15 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	82 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Abfallzeit:	30 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	61 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	24 ns
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	16 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

NTMFS4D5N08XT1G Datenblatt

USHTS:: 8541290095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

T10 Nieder-/Mittelspannungs-MOSFETs

T10 Nieder-/Mittelspannungs-MOSFETs von onsemi sind Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs in den Kategorien 40 V und 80 V mit verbessertem Betriebsverhalten, erhöhtem Systemwirkungsgrad und hoher Leistungsdichte. Diese Leistungs-MOSFETs verfügen über einen niedrigen R_DS(on), um Leitungsverluste zu minimieren, und eine niedrige Kapazität, um Treiberverluste zu minimieren. Die T10 Nieder-/Mittelspannungs-MOSFETs verfügen über einen niedrigen Q_RRund eine Soft-Recovery-Body-Diode. Diese MOSFETs entsprechen der RoHS-Richtlinie und sind bleifrei und halogenfrei/BFR-frei. Typische Applikationen sind Synchrongleichrichtung (SR) in DC/DC- und AC-DC-Wandlern, Primärschalter in isolierten DC/DC-Wandlern, Batterieschutz und Motorantriebe.