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NVMFS6H801NT1G

Name: onsemi NVMFS6H801NT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS6H801NT1G
Price: 2.82 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVMFS6H801NT1G

Herst.- Nr.:

NVMFS6H801NT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs TRENCH 8 80V NFET

Datenblatt:

NVMFS6H801NT1G Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 2.82	CHF 2.82
	CHF 1.84	CHF 18.40
	CHF 1.29	CHF 129.00
	CHF 1.12	CHF 560.00
	CHF 1.07	CHF 1 070.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	CHF 1.04	CHF 1 560.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SO-8FL-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	157 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.8 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	64 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	166 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	MY
Land der Verbreitung:	JP
Ursprungsland:	MY
Abfallzeit:	19 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	128 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	74 ns
Serie:	NVMFS6H801N
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	70 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	25 ns
Gewicht pro Stück:	750 mg

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Datenblatt

NVMFS6H801NT1G Datenblatt

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NVMFS6H8x Leistungs-MOSFETs

onsemi NVMFS6H8x Leistungs-MOSFETs bieten 80 V, einen Einzel-n-Kanal und einen kleinen Footprint für ein kompaktes Design. Diese Leistungs-MOSFETs sind mit Widerstandsbereichen von 2,1 mΩ, 2,8 mΩ und 3,7 mΩ verfügbar. Funktionen umfassen einen geringen R_DS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten, einen geringen Q_G und eine niedrige Kapazität. Die NVMFS6H8x Leistungs-MOSFETs sind RoHS-konform und AEC-Q101-qualifiziert. Diese Leistungs-MOSFETs werden bei einem Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C betrieben.

Trench8 MOSFETs

Die Trench8-MOSFETs von onsemi zeichnen sich durch einen niedrigen maximalen Einschaltwiderstand (R_DS(ON), eine extrem niedrige Gate-Ladung (Q_g) und eine geringe (Q_g) x R_DS(ON) aus, eine wichtige Gütezahl (FOM) für MOSFETs, die in Leistungsumwandlungsapplikationen verwendet werden. Die Trench8-MOSFETs verfügen über eine optimierte Schaltleistung basierend auf der T6-Technologie und bieten eine Reduzierung von Q_g und Q_oss von 35 % bis 40 % gegenüber der Trench6-Baureihe. Die Trench8-MOSFETs von onsemi sind in einer großen Auswahl von Gehäuseausführungen erhältlich und ermöglichen so ein flexibles Design. AEC-Q101-qualifizierte und PPAP-fähige Optionen sind für Fahrzeuganwendungen verfügbar. Viele dieser Bauteile werden in flankenbenetzbaren Gehäusen angeboten, die eine automatische optische Inspektion (AOI) ermöglichen.