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NX6008NBKR

Name: Nexperia NX6008NBKR
Brand: Nexperia
SKU: 771-NX6008NBKR
Price: 0.17 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-NX6008NBKR

Herst.- Nr.:

NX6008NBKR

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs SOT23 N-CH 60V .27A

Datenblatt:

NX6008NBKR Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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-.-- CHF

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0.171 CHF	0.17 CHF
	0.099 CHF	0.99 CHF
	0.067 CHF	6.70 CHF
	0.048 CHF	24.00 CHF
	0.041 CHF	41.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.028 CHF	84.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-23-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	270 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.8 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	900 mV
Qg - Gate-Ladung:	500 pC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	330 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Abfallzeit:	3 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	1 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	2 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	Trench MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	5 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	1 ns
Artikel # Aliases:	934662514215

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TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SOT23 oberflächenmontierbare Gehäuseprodukte

Das oberflächenmontierbare SOT23-Gehäuse von Nexperia Produkte befinden sich in einem oberflächenmontierbaren Kunststoffgehäuse mit drei Anschlüssen, 1,9 mm Raster, 2,9 mm x 1,3 mm x 1 mm. Dieses Hauptgehäuse für Halbleiter wurde 1969 eingeführt und entwickelte sich schnell zu einem Industriestandard. Das SOT23-Gehäuse enthält eine breite Palette von Dioden, bipolaren Transistoren, MOSFETs und ESD-Schutzvorrichtungen aus dem Nexperia-Portfolio. Das SOT23-Gehäuse ist seit 50 Jahren eine Konstante und hat mehrere Nachfolger hervorgebracht, z. B. das SOT223 und das SOT323.

NX6008NBK N-Kanal-Trench-MOSFETs

Die NX6008NBK N-Kanal-Trench-MOSFETs von Nexperia sind für schnelle Schaltvorgänge ausgelegt und zeichnen sich durch eine niedrige Schwellenspannung aus. Diese MOSFETs arbeiten mit einer Drain-Source-Spannung von 60 V (V_DS), einer maximalen Gate-Source-Spannung von 8 V (V_GS) und einem Sperrschichttemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C (T_j). Die NX6008NBK-MOSFETs werden in Applikationen wie Relaistreibern, Hochgeschwindigkeitsleitungstreibern, Low-Side-Lastschaltern und Schaltkreisen eingesetzt.