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PBZTBR12.2B

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Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-PBZTBR12.2B

Herst.- Nr.:

PBZTBR12.2B

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

Zener Diodes 1000mW, 0.7V, DO-214AA(SMB), Zener Diode

Datenblatt:

PBZTBR12.2B Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	Zener-Dioden
Lieferbeschränkung:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Vz - Zener-Spannung:	2.2 V
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DO-214AA-2
Pd - Verlustleistung:	1 W
Ir – Maximaler Sperrstrom:	200 uA
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Konfiguration:	Single
Teststrom:	40 mA
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Höhe:	3.94 mm
Ir - Sperrstrom:	200 uA
Länge:	4.7 mm
Produkt-Typ:	Zener Diodes
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Breite:	2.45 mm
Zener-Strom:	200 uA

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Datenblatt

PBZTBR12.2B Datenblatt (PDF)

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100050
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

PBZTBR1x Zener-Dioden

ROHM Semiconductor PBZTBR1x Zener-Dioden verfügen über eine hohe Zuverlässigkeit und ein kleines Power-Mold-Bauelement mit Silizium-Epitaxial-Planarstruktur. Diese Zener-Dioden bieten eine Verlustleistung von 1000mW und eine Sperrschichttemperatur von 150°C. Die PBZTBR1x Zenerdioden werden in einem Temperaturbereich von -55°C bis 150°C gelagert. Diese Zener-Dioden sind in einem DO-214AA-Gehäuse (SMB) verfügbar. Die PBZTBR1x Zener-Dioden AR werden bei der Spannungsregelung verwendet.