PE4152A-Z

Name: pSemi PE4152A-Z
Brand: pSemi
SKU: 81-PE4152A-Z
Price: 15.69 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

81-PE4152A-Z

Herst.- Nr.:

PE4152A-Z

Herst.:

pSemi

Beschreibung:

HF-Mixer Green 20 lead 4x4 QFN

Datenblatt:

PE4152A-Z Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	15.69 CHF	15.69 CHF
	10.96 CHF	1 096.00 CHF
	7.32 CHF	1 830.00 CHF
	6.49 CHF	3 245.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	6.49 CHF	19 470.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	pSemi
Produktkategorie:	HF-Mixer
RoHS:
RF (HF)-Frequenz:	136 MHz to 941 MHz
Max. Umwandlungsverlust:	8.25 dB
LO-Frequenz:	245.65 MHz to 885.65 MHz
ZF-Frequenz:	109.65 MHz
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Montageart:	SMD/SMT
Marke:	pSemi
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt-Typ:	RF Mixer
Serie:	UltraCMOS
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Wireless & RF Integrated Circuits
Technologie:	Si

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Datenblatt

PE4152A-Z Datenblatt (PDF)

Conflict Material Declaration (Tabelle)

CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

UltraCMOS® Quad MOSFET Mixers

pSemi UltraCMOS® Quad MOSFET Mixers are broadband, quad Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) array cores. These integrated receive mixers feature high linearity, image rejection, Local Oscillator (LO) isolation, strong low-frequency performance, monolithic integration, and high reliability. These pSEmi Quad MOSFET Mixers are manufactured using the Peregrine UltraCMOS process, a patented variation of silicon-on-insulator (SOI) technology on a sapphire substrate, offering the performance of GaAs with the economy and integration of conventional CMOS.